..- Módulo de memória para notebook Kingston HX318LS11IB/4 com 4 GB DDR3L e frequência de 1866MHz.
- Este módulo foi testado para ser executado em notebooks DDR3L de 1866 MHz em um baixo tempo de latência de 11-11-11 na 1.35V ou 1.5V .
- Módulo formado com 512M x 64-bit (8 GB) DDR3L-1866 CL11 SDRAM (Synchronous DRAM) 1Rx8, baixa tensão, com base em 8 chips de 512M x 8-bit componentes DDR3-FBGA.
- Padrão SODIMM de 204 pinos usa contatos de ouro.
- Esta memória funciona somente em máquinas que aceitem memórias DDR3L e DDR3.
Características técnicas:
- Código do produto no fabricante: HX318LS11IB/4
- Tipo de módulo: 204 pinos DDR3L SDRAM (Synchronous DRAM)
- Capacidade de armazenamento: 4 GB
- Frequência: 1866 MHz ( PC3L-14900)
- Padrão JEDEC: 1.35 V e 1.5 V
- CL(IDD): 11 ciclos
- Taxa UL: 94 V - 0
- Bancos internos independentes: 8
- Pré busca (Pre-fetch): 8 bits
- Comprimento Burst: 8 (Interleave sem qualquer limite, seqüencial com endereço de partida "000" apenas), 4 com tCCD = 4, que faz não permitir leitura perfeita ou escrever [ou em tempo real usando A12 ou MRS].
- Diferencial Strobe de dados: Bi-direcional
- Auto calibração interna: através ZQ pinos (RZQ: 240 ohm ± 1%)
- Terminação Die: usando pinos ODT
- Média de atualização: 7.8us período em inferior TCASE 85 °C, 3.9us a 85 °C - Reset: assíncrono
- Dimensões: Altura 30 milímetros
Latência:
- CAS programável: 13, 11, 10, 9, 8, 7, 6, 5
- Tempo de latência: 11 - 11 - 11
- Aditivo programável: 0, CL - 2 ou CL - 1 clock
Tempo da memoria:
- Tempo linha Ciclo (tRCmin): 44.7 ns (mínimo)
- Atualização para Active/Refresh (Tempo de comando (tRFCmin): 260 ns (minimo)
- Tempo linha Active (tRASmin): 34 ns (minimo)
Ambiente:
- Temperatura de operação: 0º a 85º C
- Temperatura em armazenamento: - 55º a 100º C